首页 > 加工制造 > 正文

Polaris:低成本导航级MEMS惯性传感器制造平台
2022-03-08 22:29:12   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

olaris是基于绝缘体上硅(SOI)技术的全硅MEMS工艺,可提供25~150微米厚的器件层。利用Polaris工艺制造的MEMS器件天然支持高温工作。

- 由GE科学家开发的Polaris工艺面向MEMS惯性传感器的开发和制造;

- IntelliSense提供的软件包可帮助客户更轻松地利用Polaris工艺定制其MEMS导航解决方案;

- GE Research的Polaris工艺可以实现无需GPS的MEMS高精度导航器件。

据麦姆斯咨询报道,近日,MEMS晶圆代工服务战略供应商GE Research和领先的MEMS仿真软件提供商IntelliSense联合宣布就GE Research命名为“Polaris”的MEMS惯性传感器制造工艺展开合作,双方将联手提高该工艺平台的可用性,帮助客户以低成本开发导航级MEMS惯性传感器。

GE Research电子与传感部主管兼执行任务负责人Todd Miller表示:“我们在开发Polaris工艺时就考虑到了导航级MEMS惯性传感器,现在我们可以提供一站式代工工艺。我们很高兴与IntelliSense合作,IntelliSense将利用软件使客户能够更轻松地设计并定制他们的MEMS解决方案。”

Todd Miller指出,Polaris工艺“设计-构建-测试”周期中最长的部分便是设计阶段。他说:“每一位新的设计人员在初期都会面对无数种选择。通过IntelliSense软件为Polaris建模,在Polaris中提供工艺流程开发套件和设计示例支持,将帮助客户更快速地导入晶圆厂,同时减少走弯路的成本。”

利用GE Research的Polaris工艺制造的MEMS器件的红外图像

利用GE Research的Polaris工艺制造的MEMS器件的红外图像

Polaris仅用6层掩模和12周的周转时间,就将MEMS惯性传感器的制造障碍降至最低,支持30:1高深宽比蚀刻和采用硅通孔(TSV)的晶圆级真空封装。Polaris是基于绝缘体上硅(SOI)技术的全硅MEMS工艺,可提供25~150微米厚的器件层。利用Polaris工艺制造的MEMS器件天然支持高温工作。

IntelliSense软件应用和销售经理Sripadaraja表示,此次双方合作在IntelliSuite上提供GE Research的Polaris工艺,使用户可以快速仿真工艺,通过设计的掩模和包括DRC(设计规则检查)的PDK(工艺设计套件),了解并优化完整的MEMS器件结构。利用“完整的MEMS仿真软件IntelliSuite”,将有助于优化带有定制掩模集的MEMS惯性传感器设计。此外,还可以进行多物理场和系统集成仿真。这至关重要,因为它可以通过提高产品质量、减少物理原型制作时间和成本,以及更快速地实现优化设计而使用户受益。

关于GE Research

GE Research是通用电气(GE)的创新引擎,在这里,研究与实现相辅相成。GE Research是一支由科学、工程和营销精英组成的世界级团队,致力于物理学和市场、数字技术的交汇,跨越广泛的行业,为我们的客户提供改变世界的创新和能力。该中心位于纽约尼什卡纳研究园区,拥有28000平方英尺的100级(ISO 9001认证)洁净室设施,可以支持从研发到小批量生产,并进一步将技术转移到大批量制造。

关于IntelliSense

IntelliSense是一家私营公司,总部位于美国马萨诸塞州波士顿郊外。25年前,该团队凭借其IntelliSuite®(一系列创新CAD工具)点燃了MEMS行业。IntelliSuite是业界领先的软件工具集,用于MEMS版图设计、先进工艺仿真、FEA、参数分析、系统仿真、封装分析等。IntelliSuite涵盖了MEMS设计周期的各个方面,为MEMS专业人士提供了开创性的端到端软件解决方案。

延伸阅读:

《自动驾驶汽车、机器人出租车及其传感器-2021版》 

相关热词搜索:MEMS 惯性传感器

上一篇:原子层沉积(ALD)工艺助力实现PowderMEMS技术平台
下一篇:最后一页