汉磊科技（Episil）：功率碳化硅（SiC）代工业的先锋
2019-01-28 18:53:47 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
麦姆斯咨询：汉磊科技是最早提供SiC功率器件代工服务的晶圆厂之一，可同时提供硅和宽禁带（WBG）半导体代工服务，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
微访谈：汉磊科技总经理庄渊棋
据麦姆斯咨询报道，随着技术进步和市场普及，碳化硅（SiC）功率器件前景被广泛看好。根据Yole于2018年发布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和应用-2018版》报告预测，到2023年SiC功率市场总值将超过14亿美元，2017年至2023年的复合年增长率（CAGR）将达到29%。SiC市场非常活跃，吸引了业界很多公司的关注。SiC相关的专利申请显著增加也有力的证明了当前这一趋势，具体可以参见由Yole旗下全资子公司Knowmade最新发布的专利态势报告：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模块专利全景分析-2019版》。
当前的问题更集中在未来五年的市场增长以及相关的供应链上。SiC供应链是否已为支持市场加速发展做好了准备？为了支持市场的需求，领先的集成器件制造商（IDM）正在提升他们的产能，晶圆代工模式也在迅速发展中。
汉磊科技股份有限公司（Episil Technologies）总部位于台湾，是最早提供SiC功率器件代工服务的晶圆厂之一。Yole专注于化合物半导体和新兴材料方面的高级技术和市场分析师Hong Lin博士，有幸采访到汉磊科技总经理庄渊棋（Andy Chuang），两位专家一同讨论了这个市场的技术发展和创新。以下为精彩的访谈内容。
Hong Lin（以下简称HL）：请您先简单介绍一下汉磊科技，以及公司的服务、历史和当前的业务？
庄渊棋：汉磊科技是汉磊先进投资控股股份有限公司（Episil Holdings）下属全资子公司，是一家在1985年成立的台湾晶圆代工厂。在20世纪90年代，公司开始为硅基功率器件提供代工服务。随后，公司不断扩大产能，到现在已拥有三座晶圆厂，可同时提供硅和宽禁带（WBG）半导体代工服务，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
HL：汉磊科技是什么时候开始介入WBG市场？是什么原因让汉磊科技决定进军WBG业务？
庄渊棋：大约十年前，硅市场的竞争越来越激烈。集团决定采用“蓝海”战略，挖掘当时竞争比较小的市场作为未来发展的业务。公司具有远见卓识，看到了WBG业务的市场潜力。从那时起，汉磊科技得到了股东和汉磊集团的全力支持。
HL：汉磊科技的SiC产品组合有哪些？公司未来五年相关的规划路线图是什么？
庄渊棋：汉磊科技自2015年开始WBG的生产。我们现在为600V-1200V肖特基势垒二极管（SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）提供4英寸SiC代工服务，并正在建立一条6英寸SiC生产线，可在2019年下半年为客户试生产做好准备。
2017~2023年SiC功率器件市场规模
HL：您能介绍一下汉磊科技在GaN方面的业务发展么？也请您详细介绍一下未来五年GaN相关的规划路线图？
庄渊棋：汉磊科技开发的GaN工艺，在美国市场已处于领先地位，我们也为其他公司提供GaN代工服务。目前汉磊科技主要专注于功率产品。
HL：汉磊科技在SiC代工方面的服务特色主要是什么？
庄渊棋：汉磊科技在客户数量和产品数量方面都有口皆碑。我们的SBD/平面结势垒肖特基（JBS）平台可以为客户提供高品质的制造，良率超过95%。另外，汉磊科技承诺为客户提供SiC SBD和SiC MOSFET的制造周期分别为一个月和两个月，在交付时间上非常具有竞争力。此外，汉磊科技为所有客户提供一站式服务，包括：SiC外延、器件制造、背面减薄、背面金属化（激光退火）以及芯片探针测试。汉磊科技同时提供4英寸和6英寸SiC代工服务，客户可以根据自身需求选择最适合的产品。
HL：您认为汉磊科技开发的SiC和GaN技术的附加值是什么？
庄渊棋：在汉磊科技，我们的合作伙伴可以获得一站式服务。我们提供从前端外延到后端测试全产业链的服务，这点一直受到我们合作伙伴的高度赞赏。此外，我们的服务质量很高，例如我们的背面减薄技术，可以将SiC晶圆减薄到只有4 mil（100 µm）。
HL：Knowmade最新发布了一份关于SiC器件的专利态势分析报告（《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模块专利全景分析-2019版》）。但在这份新报告中，Knowmade分析师没有发现汉磊科技相关的专利申请。您对此结果有何评论？您能否向大家介绍一下汉磊科技在知识产权方面的战略？汉磊科技是否会受到专利许可的影响？
庄渊棋：作为代工服务的提供商，我们专注于工艺的开发。我们为我们的合作伙伴提供广泛通用的工艺，这不会存在专利问题。当所设计的器件结构获得专利时，我们的合作伙伴会带来他们的专利，让我们为他们开发工艺。
SiC MOSFET、SBD和功率模块专利主要申请人
来源：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模块专利全景分析-2019版》
HL：您如何看待WBG市场未来的发展趋势，特别是SiC和GaN市场？
庄渊棋：从2017至2018年间，我们看到了市场明显的变化。我们现在拥有一长串的SiC业务相关的客户名单，其中超过45家客户参与，涉及300多款产品。毫不怀疑这个市场正在起飞。
HL：汉磊科技通过了车规认证。所有三个晶圆厂都获得了TS16949汽车业品质管理系统认证。汽车是驱动功率电子市场最重要的因素之一。WBG技术在这个市场中扮演什么样的角色？商业化成熟的上市时间点会在什么时候，特别是SiC和GaN解决方案？
庄渊棋：我们看到SiC在电动汽车（EV）中发挥着重要作用。特别是，中国的汽车厂商非常活跃，而且他们都将在电动车中使用SiC。
HL：您们接下来在WBG方面的业务发展计划有哪些？
庄渊棋：我们正在开发1700V的SiC SBD，并且还在开发SiC沟槽MOSFET工艺。我们现在正在建设6英寸SiC生产线，它将在2019年下半年为客户试生产做好准备。在GaN方面，我们继续为GaN产品升级新一代工艺。除了GaN分立器件，我们还与客户共同开发了GaN集成电路（IC）平台，并正在向下一代更具竞争力的技术迁移。
延伸阅读：
《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模块专利全景分析-2019版》
《英飞凌1200V CoolSiC MOSFET模组：DF11MR12W1M1_B11》
《罗姆1700V碳化硅MOSFET分立器件：SCT2H12NZGC11》
《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET：C2M0025120D》