《电动汽车电力电子技术及市场-2024版》
2024-06-06 22:16:55   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

本报告深入探讨了碳化硅(SiC)MOSFET在逆变器、车载充电器和DC-DC转换器中的应用,还探讨了氮化镓(GaN)在汽车领域的应用,并对潜在的技术进行了分析。

Power Electronics for Electric Vehicles 2025-2035

《电动汽车电力电子技术及市场-2024版》

据麦姆斯咨询介绍,英国知名研究公司IDTechEx在这份最新发布的报告中分析了电动汽车(EV)电力电子市场,从晶圆尺寸到汽车原始设备制造商的发展趋势,深入探讨了碳化硅(SiC)MOSFET在逆变器、车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中的应用。此外,还探讨了氮化镓(GaN)在汽车领域的应用,并对潜在的技术进行了分析。此外,IDTechEx还按电压(600V、1200V)和技术(Si、SiC、GaN)对电力电子市场进行了细分预测。

未来十年,电动汽车的需求将迅速增长,而电动汽车电力电子市场的增长速度将更快。为了解决消费者对纯电动汽车(BEV)与内燃机相比的里程焦虑,汽车原始设备制造商正在寻找增加续航、加快充电速度的方法。除了电池和电机技术,宽禁带(WBG)半导体、SiC和GaN都有望为电动汽车动力系统带来革命性变化,以800V架构和显著的效率提升取代现有的Si IGBT和MOSFET。

电动汽车应用的电力电子器件

电动汽车应用的电力电子器件

本报告分析了WBG技术的增长潜力和未来趋势,包括从SiC MOSFET的快速发展到GaN在电动汽车电力电子市场的巨大潜力等。本报告按电压(600V、1200V)和半导体技术(Si、SiC、GaN)对逆变器、OBC和DC-DC转换器的销售量、功率(GW)和市场规模(美元)进行了详细预测。

IDTechEx预测,2033年电动汽车电力电子市场将以两位数的复合年增长率(CAGR)增长至2023年的5倍。

IDTechEx预测,2033年电动汽车电力电子市场将以两位数的复合年增长率(CAGR)增长至2023年的5倍。

SiC供应链

从原材料到晶圆,到加工技术,再到器件封装,SiC已经形成了一条成熟的供应链。但这并不意味着SiC供应链已经没有发展空间。SiC晶圆供应一直由美国厂商主导,原始设备制造商正在寻求多方采购SiC,以保证供应和成本。从6英寸到8英寸SiC晶圆的过渡将显著提高产能,这对汽车行业至关重要。此外,欧洲和亚洲的厂商正在扩大晶圆业务,推动SiC供应链的全球化。

SiC MOSFET尽管价格在过去5年中大幅下降,但相比Si IGBT仍然昂贵。这主要源于基础设施要求、SiC晶圆价格以及耗能加工步骤等原因。IDTechEx对在电动汽车中采用SiC MOSFET进行了成本分析,研究了其在设备和车辆层面的影响。整个供应链都在开展合作,例如:原始设备制造商正在借用其它厂商的电动车平台;器件制造商正在研究提高良率的创新方法;供应商则在收购其它公司以进行垂直整合,加强供应链控制;原始设备制造商正在与汽车半导体供应商合作,以最大限度地利用其动力系统。

SiC MOSFET在电动汽车市场的应用

20年来,Si IGBT一直是牵引逆变器的唯一选择。事实证明,它们在中高功率水平逆变器中是可靠的。然而,目前这一代电动汽车正在向SiC MOSFET过渡,而且市场份额还将继续增长,据IDTechEx预测,到2035年,SiC MOSFET将成为电动汽车逆变器市场的主力军。与Si IGBT相比,SiC MOSFET具有很多理想特性,包括高温工作、更好的导热性、更快的开关速度等,可将电动汽车的续航能力提高7%,此外还能提供更小的芯片和通用的外形尺寸,从而降低了重量和体积。过去10年来,随着SiC MOSFET技术的发展,从封装到沟槽技术都有了巨大的进步,从而解决了供应链、热管理和可靠性方面的很多问题。

 SiC MOSFET将继续蚕食市场份额,1200V MOSFET支持800V架构。

SiC MOSFET将继续蚕食市场份额,1200V MOSFET支持800V架构。

OBC和DC-DC转换器的工作功率比逆变器低一个数量级,但SiC MOSFET的优势依然存在:功率密度更高、损耗更小、续航时间略有增加。此外,在OBC中使用SiC可加快充电速度,在DC-DC转换器中则能更有效地将电能传输到低压电池,从而减少电动汽车中辅助耗电设备(信息娱乐系统、热泵、前大灯)的浪费。这推动了SiC MOSFET在OBC和DC-DC转换器中的应用,IDTechEx预测,由于功率和电压要求较低,OBC和DC-DC转换器转向GaN的时间将略早于逆变器。

 2022~2035年逆变器、OBC、DC-DC转换器市场预测

2022~2035年逆变器、OBC、DC-DC转换器市场预测(样刊模糊化)

面向汽车应用的GaN技术

GaN HEMT和FET在汽车半导体市场扮演着重要角色。其角色取决于挖掘材料潜力的某些必要开发,以相比SiC更高效地转换功率。目前,市场上大多数GaN器件的电压仅限于650V,而且是横向结构。要最大限度地发挥车用GaN的潜力,就必须采取措施,使其在更高电压下也能发挥作用,尤其是当800V架构在主流电动汽车领域获得更多市场份额时。无论是通过工程技术改进还是在器件层面,IDTechEx分析了GaN如何在汽车行业实现其潜力。本报告研究了硅基GaN器件的替代方案,并对相关厂商进行了分析。

宽禁带器件应用概览

宽禁带器件应用概览

电力电子创新

在器件层面不断改进的同时,原始设备制造商和Tier 1供应商还专注于提高电动汽车的性能。主要考量因素包括缩小布线尺寸、降低被动元件成本以及最高效的冷却方法。电力电子器件与动力总成的集成,是电动汽车的一个关键增长领域,其目标是在最大限度降低成本的同时实现最高性能。IDTechEx对该领域现有的市场解决方案和有源元件进行了研究。器件的集成度差异很大,从机械集成到电子集成,甚至有可能将所有电力电子器件整合到一个单元中。

近两年中国发布的800V架构车型

近两年中国发布的800V架构车型

本报告提供了以下重要信息:

- 深入了解电动汽车电力电子技术的发展:逆变器、OBC和DC-DC转换器

- 宽禁带(WBG)半导体GaN和SiC的应用

- 供应链研究(SiC MOSFET和SiC IGBT)

- 深入分析800V架构和电力电子器件的集成

- 未来10年期细分市场预测

若需要《电动汽车电力电子技术及市场-2024版》报告样刊,请联系麦姆斯咨询王懿,邮箱:wangyi#memsconsulting.com(#换成@);电话:17898818163。

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