《3D非易失性存储（NVM）全球专利全景分析-2018版》
2018-04-23 21:49:41 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
近阶段，3D非易失性存储（NVM）领域动作频频，例如Western Digital（西部数据）收购了SanDisk，中国政府在存储领域的大举投资，以及Intel宣布Micron Intel的合作将分道扬镳，以进一步发展3D NAND。本报告从产业专利申请印证了这些产业发展动态。
3D Non-Volatile Memory
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3D非易失性存储领域飞速发展，中国厂商能否争得一席之地？
巨头林立的新兴市场，专利竞争瞬息万变
相继问世的3D NAND闪存器件典型代表包括：2015年Samsung Electronics（三星电子）的3D V-NAND-32L，以及随后2016年的SK Hynix（SK海力士）3D NAND V2-36L、Toshiba/SanDisk（东芝/闪迪）3D NAND-48L以及Micron/Intel（美光/英特尔）3D NAND-32L。
3D NVM主要厂商产品路线图
近阶段，3D非易失性存储（NVM）领域动作频频，例如Western Digital（西部数据）收购了SanDisk，中国政府在存储领域的大举投资，以及Intel宣布Micron/Intel的合作将分道扬镳，以进一步发展3D NAND。我们从产业专利申请印证了这些产业发展动态，中国厂商（YMTC/YRST）近阶段在该领域申请了大量与3D NVM相关的专利，并且，三星近几个月在中国、美国和韩国都公开了大量专利，反映其进一步加强自身在3D NVM领域专利地位的意图。此外，我们还注意到Conversant IP和WiLAN等NPE（非专利实施主体）机构正在积极进入该领域。这些NPE机构的涉足，标志着该市场的繁荣，当它们有朝一日准备利用手中的专利赚钱时，将在未来挑起专利战。
在本报告中，KnowMade（Yole旗下全资子公司）深入分析了与3D NVM相关的全球专利，详细介绍了当前该领域的专利现状以及潜在发展趋势。SanDisk/Western Digital、Samsung和Toshiba在3D NVM领域的专利布局处于行业领先位置。这几家厂商一共掌握了该领域65%的专利，Western Digital与Toshiba签订了直到2029年的JV联营扩展协议，而Samsung和Western Digital则更新了一份到2024年的专利交叉许可协议。另一方面，我们还注意到中国厂商在3D NVM专利领域开始暂露头角。
3D NVM领域专利申请动态
3D NVM领域的专利申请始于1990年代的Toshiba和SanDisk，双方在1999年关于闪存签订了联合投资协议。2000年代末期，3D存储架构研发相关的专利申请开始出现，主要包括BiCS（Bit Cost Scalable，SanDisk和Toshiba）、TCAT（Terabit Cell Array Transistor，Samsung Electronics）以及FG（Floating Gate，SK Hynix）。不久之后，Micron Technology也开发出了FG架构，Macronix International则在2015年开发出了SGVC（Single Gate Vertical Channel）架构。自2008年以来，3D NVM相关专利申请一直在持续增长，现在该领域的专利申请已达3400多个专利家族，共计超过9400件专利。该领域的专利现状非常复杂，包括了多家行业巨头，以及近年刚刚进入该领域的中国厂商。
核心专利申请人分析
本报告通过对顶级专利申请人的专利数量、专利引用网络、专利申请国家以及当前法律状态等指标，展示了它们专利地位的强弱。通过深入的专利分析，本报告提供了6家主要厂商的专利概览（SanDisk/Western Digital、Micron Technology、SK Hynix、Toshiba、Samsung和Macronix International），具体包括对其专利动态、专利策略以及3D NAND产品相关核心专利的详细分析。
3D NVM专利领域包含多家大型厂商，新进厂商很难进入这块相对封闭的领域。不过，中国企业通过金融手段成功涉足，或将在未来改变3D NVM技术的进一步发展。
值得注意的是，Applied Materials、Tokyo Electron和Lam Research等设备制造商，也申请了近20件3D NVM相关专利。
3D NVM领域的专利领导者（样刊模糊化）
核心技术分析
本报告研究的3400多个专利家族按照存储类型和主架构进行了分类。
本报告揭示了专利申请人的专利策略和技术选择，并根据存储类型（Flash、MRAM、ReRAM、PCRAM）和架构（垂直、Xpoint）重点分析了主要厂商的专利现状。有些厂商（如Micron Technology）主要专注于PCRAM一种存储类型，我们预计它们也在研发3D Xpoint存储。其它厂商（如SanDisk）则涉及多种类型的3D NVM存储。
按存储类型对专利进行分类（样刊模糊化）
聚焦中国
凭借中国政府在存储领域的巨额投资，YMTC/YRST在去年开发出了上一代3D NAND 36L，试图追赶市场主要厂商的脚步。不过，我们需要搞清楚，中国厂商的知识产权来自哪里？本报告分析了中国存储领域相关的专利现状（包括2D、3D、DRAM、SRAM、Flash、新兴存储），以了解中国厂商拥有的技术和专利发展趋势，它们包括XMC、YRST、Tsinghua Unigroup以及SMIC等。
本报告还调研了市场主要厂商在中国的专利申请现状，包括Samsung、SK Hynix以及Intel等。
专利数据库
本报告还提供了一份Excel专利数据库，包含了本研究所分析的9400多件专利。该数据库支持多字段检索，包括专利公开号、原始文件超链接、优先权日、专利名称、专利摘要、专利申请人、存储类型/架构以及当前法律状态等。
本报告涉及的部分公司：Samsung Electronics, Micron Technology, SanDisk/Western Digital, Intel, SK Hynix, Toshiba, 3D Monolithic, SMIC, United Microelectronics, Sino King Technology, YRST/YMTC(Yangtze River Storage Technology), Giga Device, Rambus/Unity Semiconductor...
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