诺思向天津市长汇报5G滤波器研发进展
2018-09-15 08:04:58 来源：诺思 评论：0 点击：
庞慰向张国清市长介绍了诺思研发的基于硅衬底和微机电系统（MEMS）制造技术的FBAR射频滤波器目前产业化进程的情况，重点介绍了诺思5G滤波器芯片研发进展，并承诺将在2018年底向市场提供5G频段FBAR滤波芯片样品
据麦姆斯咨询报道，2018年9月14日上午，天津市委副书记、市长张国清一行莅临调研指导，庞慰董事长汇报诺思5G滤波器芯片研发进展。
庞慰向张国清市长介绍了诺思研发的基于硅衬底和微机电系统（MEMS）制造技术的FBAR射频滤波器目前产业化进程的情况，重点介绍了诺思5G滤波器芯片研发进展，并承诺将在2018年底向市场提供5G频段FBAR滤波芯片样品。
张国清市长勉励诺思，找准技术突破点，加快科研成果向现实生产力转化。
FBAR是近些年发展起来的新一代无线射频滤波器、双工器和多工器解决方案，在无线通讯中的应用十分普遍。采用硅衬底和微机电系统（MEMS）制造技术的FBAR射频滤波器以卓越的性能和微小的器件尺寸受到广泛青睐。
FBAR相关产品广泛应用于移动通讯，基站服务，卫星导航，以及物联网等领域。
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